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APTGF15H120T1G |
SP1 | Microsemi Power Products Group | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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APTGF15H120T1G参数 产品类别：半导体模块-IGBT 说明：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 包装数量：1 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档IGBT 类型：NPT 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.7V @ 15V，15A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：25A 电流 - 集电极截止（最大）：250µA Vce 时的输入电容 (Cies)：1nF @ 25V 功率 - 最大：140W 输入：标准 NTC 热敏电阻：是 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 多芯导线45372SL199 晶体管(BJT) NSBA114TDXV6T1 圆形MS27468T11F98JA 芯片电阻 - 表面9C12063A1272FKHFT Card EdgeFMC26DRAI 断路器3120-F321-P7T1-W01D-14A 圆形 - 外壳DTS20W25-43PD-LC 通孔电阻器MBA02040C1969FRP00 Card EdgeGCC15DRTH-S13 圆形8380-2SG-522 |
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