| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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APTGF15H120T1G |
SP1 | Microsemi Power Products Group | 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€ｎ偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923 询价QQ：  |
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APTGF15H120T1G参数 产品类别：半导体模块-IGBT 说明：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 包装数量：1 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档PDF资料下载： PDF文档IGBT 类型：NPT 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.7V @ 15V，15A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：25A 电流 - 集电极截止（最大）：250µA Vce 时的输入电容 (Cies)：1nF @ 25V 功率 - 最大：140W 输入：标准 NTC 热敏电阻：是 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 数据采集 - 模数ADS8507IBDW 电阻器网络，阵列RACF648NJT4K70 评估演示板和套件XR16M680IM48-0A-EB 单二极管/整流器IDW12G65C5 PMIC - ACICE3B0365L 固定式SCMS5D25-330 快动，限位开关WLCA2-G 存储器AT93C66-10PI-1.8 压力26PCDFD6G PMIC - 稳压ISL9014AIRKJZ-T |
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